ON Semiconductor BC859BLT3

包装/外壳

0603 (1608 Metric)

安装类型

表面贴装

表面安装

YES

供应商器件包装

0603

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package

Tape & Reel (TR)

厂商

KOA Speer Electronics, Inc.

Product Status

活跃

Collector-Emitter Saturation Voltage

-650 mV

hFEMin

150

RoHS

Non-Compliant

Current-Collector (Ic) (Max)

100 mA

Package Description

CASE 318-08, TO-236, 3 PIN

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

未说明

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

CASE 318-08

Reflow Temperature-Max (s)

30

Rohs Code

无

Transition Frequency-Nom (fT)

100 MHz

Manufacturer Part Number

BC859BLT3

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Risk Rank

5.1

Part Package Code

SOT-23

操作温度

-55°C ~ 155°C

系列

SG73G

尺寸/尺寸

0.063 L x 0.031 W (1.60mm x 0.80mm)

容差

±0.5%

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

终止次数

2

温度系数

±50ppm/°C

电阻

105 kOhms

端子表面处理

锡铅

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

组成

厚膜

功率(瓦特)

0.333W, 1/3W

最大功率耗散

225 mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PDSO-G3

资历状况

COMMERCIAL

失败率

-

极性

PNP

配置

SINGLE

元素配置

Single

功率 - 最大

300 mW

增益带宽积

100 MHz

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

-45 V

最大集电极电流

100 mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

220 @ 2mA, 5V

最大集极截止电流

15nA (ICBO)

JEDEC-95代码

TO-236AB

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

650mV @ 5mA, 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

30 V

频率转换

100MHz

集电极基极电压(VCBO)

-50 V

发射极基极电压 (VEBO)

5 V

集电极电流-最大值(IC)

0.1 A

最小直流增益（hFE）

220

集电极-发射器电压-最大值

30 V

特征

Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant, Pulse Withstanding

座位高度(最大)

0.022 (0.55mm)

评级结果

-