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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.03024
500
¥0.757531
1000
¥0.631279
2000
¥0.579156
5000
¥0.541264
10000
¥0.503498
15000
¥0.486943
50000
¥0.478804
ON Semiconductor BC859BMTF
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- 对比
BC859BMTF
1807-BC859BMTF
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Bipolar Transistors - BJT SOT-23 PNP GP AMP
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¥
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BC859BMTF详情
ON Semiconductor BC859BMTF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
3
质量
30mg
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
30V
Collector-Emitter Saturation Voltage
-250mV
Number of Elements
1
hFEMin
110
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
附加功能
低噪音
电压 - 额定直流
-30V
最大功率耗散
310mW
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
额定电流
-100mA
频率
150MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
BC859
资历状况
不合格
元素配置
Single
功率耗散
310mW
晶体管应用
SWITCHING
增益带宽积
150MHz
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
30V
最大集电极电流
100mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
200 @ 2mA 5V
最大集极截止电流
15nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
650mV @ 5mA, 100mA
转换频率
150MHz
最大击穿电压
30V
集电极基极电压(VCBO)
-30V
发射极基极电压 (VEBO)
-5V
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
BC859BMTF拓展信息
ON Semiconductor
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ON Semiconductor
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ON Semiconductor
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ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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