ON Semiconductor BCP56

生命周期状态

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工厂交货时间

21 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

引脚数

3

供应商器件包装

SOT-223-4

质量

188mg

Collector-Emitter Breakdown Voltage

80V

Collector-Emitter Saturation Voltage

50V

Current-Collector (Ic) (Max)

1.2A

Number of Elements

1

hFEMin

40

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2017

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

80V

最大功率耗散

1W

额定电流

1.2A

基本部件号

BCP56

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

1W

功率 - 最大

1W

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

80V

最大集电极电流

1.2A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

40 @ 150mA 2V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 50mA, 500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

80V

最大击穿电压

80V

集电极基极电压(VCBO)

100V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

高度

1.6mm

长度

6.5mm

宽度

3.5mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅