ON Semiconductor BCP69

生命周期状态

LIFETIME (Last Updated: 1 day ago)

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

引脚数

4

质量

188mg

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

20V

Collector-Emitter Saturation Voltage

-500mV

Number of Elements

1

hFEMin

85

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2004

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

电压 - 额定直流

-20V

最大功率耗散

1W

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

额定电流

1A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

BCP69

资历状况

不合格

元素配置

Single

功率耗散

1W

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

20V

最大集电极电流

1.5A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

85 @ 500mA 1V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 100mA, 1A

最大击穿电压

20V

集电极基极电压(VCBO)

-30V

发射极基极电压 (VEBO)

-5V

高度

1.6mm

长度

6.5mm

宽度

3.5mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅