ON Semiconductor BCW33LT3G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 19 hours ago)

工厂交货时间

2 Weeks

触点镀层

Tin

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

表面安装

YES

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

32V

Collector-Emitter Saturation Voltage

250mV

Number of Elements

1

hFEMin

420

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2005

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电压 - 额定直流

32V

最大功率耗散

225mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

100mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

BCW33

引脚数量

3

元素配置

Single

功率耗散

300mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

32V

最大集电极电流

100mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

420 @ 2mA 5V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

250mV @ 500μA, 10mA

最高频率

1MHz

集电极基极电压(VCBO)

32V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

高度

1.11mm

长度

3.04mm

宽度

2.64mm

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅