ON Semiconductor BCW69

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

3

质量

30mg

Collector-Emitter Breakdown Voltage

45V

Number of Elements

1

hFEMin

120

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终端

SMD/SMT

电压 - 额定直流

-45V

最大功率耗散

350mW

额定电流

100mA

基本部件号

BCW69

元素配置

Single

功率耗散

350mW

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

300mV

最大集电极电流

100mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

120 @ 2mA 5V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 500μA, 10mA

转换频率

150MHz

集电极基极电压(VCBO)

-50V

发射极基极电压 (VEBO)

-5V

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅