ON Semiconductor BCX19LT1G

工厂交货时间

4 Weeks

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

表面安装

YES

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

安装类型

表面贴装

触点镀层

Tin

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

hFEMin

100

Number of Elements

1

Collector-Emitter Saturation Voltage

620mV

Collector-Emitter Breakdown Voltage

45V

已出版

2002

包装

Cut Tape (CT)

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

类型

通用型

电压 - 额定直流

45V

最大功率耗散

300mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

500mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

BCX19

引脚数量

3

元素配置

Single

功率耗散

300mW

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

45V

最大集电极电流

500mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 100mA 1V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

620mV @ 50mA, 500mA

最大击穿电压

45V

集电极基极电压(VCBO)

50V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

宽度

1.3mm

长度

2.9mm

高度

940μm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

无

达到SVHC

无SVHC

无铅

无铅