ON Semiconductor BD135TG

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 19 hours ago)

工厂交货时间

2 Weeks

触点镀层

Tin

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-225AA, TO-126-3

表面安装

NO

引脚数

3

Collector-Emitter Breakdown Voltage

45V

Collector-Emitter Saturation Voltage

500mV

Number of Elements

1

hFEMin

25

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2013

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

1.25W

引脚数量

3

元素配置

Single

功率耗散

1.25W

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

45V

最大集电极电流

1.5A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

40 @ 150mA 2V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 50mA, 500mA

集电极基极电压(VCBO)

45V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

连续集电极电流

1.5A

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅