ON Semiconductor BD13616STU

工厂交货时间

19 Weeks

触点镀层

Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-225AA, TO-126-3

引脚数

3

质量

761mg

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

350V

Collector-Emitter Saturation Voltage

-500mV

Number of Elements

1

hFEMin

40

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

已出版

2000

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电压 - 额定直流

-45V

最大功率耗散

12.5W

额定电流

-1.5A

基本部件号

BD136

元素配置

Single

功率耗散

1.25W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

45V

最大集电极电流

1.5A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 150mA 2V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 50mA, 500mA

转换频率

75MHz

最大击穿电压

45V

集电极基极电压(VCBO)

-45V

发射极基极电压 (VEBO)

-5V

高度

11mm

长度

8mm

宽度

3.25mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅