ON Semiconductor BD159G

工厂交货时间

2 Weeks

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)

表面安装

NO

包装/外壳

TO-225AA, TO-126-3

安装类型

通孔

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

100V

hFEMin

30

Number of Elements

1

已出版

2003

包装

Bulk

操作温度

-65°C~150°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

HIGH RELIABILITY

电压 - 额定直流

350V

最大功率耗散

20W

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

500mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

BD159

引脚数量

3

元素配置

Single

功率耗散

20W

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

350V

最大集电极电流

500mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

30 @ 50mA 10V

最大集极截止电流

100μA ICBO

转换频率

6MHz

最大击穿电压

350V

集电极基极电压(VCBO)

375V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

无

达到SVHC

无SVHC

无铅

无铅