ON Semiconductor BD159STU

工厂交货时间

6 Weeks

生命周期状态

LIFETIME (Last Updated: 1 week ago)

包装/外壳

TO-225AA, TO-126-3

安装类型

通孔

底架

通孔

触点镀层

Tin

引脚数

3

质量

761mg

Collector-Emitter Breakdown Voltage

160V

hFEMin

30

Number of Elements

1

已出版

2001

包装

Tube

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

50°C

最小工作温度

-65°C

电压 - 额定直流

350V

最大功率耗散

20W

额定电流

500mA

基本部件号

BD159

元素配置

Single

功率耗散

20W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

350V

最大集电极电流

500mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

30 @ 50mA 10V

最大集极截止电流

100μA ICBO

转换频率

155MHz

最大击穿电压

350V

集电极基极电压(VCBO)

375V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅