ON Semiconductor BD17910STU

生命周期状态

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工厂交货时间

6 Weeks

触点镀层

Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-225AA, TO-126-3

质量

761mg

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

80V

Collector-Emitter Saturation Voltage

800mV

Number of Elements

1

hFEMin

40

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

已出版

2017

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电压 - 额定直流

80V

最大功率耗散

30W

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

额定电流

3A

频率

3MHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

BD179

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

元素配置

Single

功率耗散

30W

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

3MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

80V

最大集电极电流

3A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

63 @ 150mA 2V

最大集极截止电流

100μA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

800mV @ 100mA, 1A

转换频率

3MHz

集电极基极电压(VCBO)

80V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅