ON Semiconductor BD238G

生命周期状态

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安装类型

通孔

包装/外壳

TO-225AA, TO-126-3

表面安装

NO

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Saturation Voltage

600mV

Number of Elements

1

hFEMin

40

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2003

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

不适用

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

25W

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

频率

3MHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

3

资历状况

不合格

元素配置

Single

功率耗散

25W

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

3MHz

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

80V

最大集电极电流

2A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

40 @ 150mA 2V

最大集极截止电流

100μA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

600mV @ 100mA, 1A

转换频率

3MHz

集电极基极电压(VCBO)

100V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅