ON Semiconductor BD240CTU

生命周期状态

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工厂交货时间

36 Weeks

触点镀层

Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

质量

1.8g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

150V

Collector-Emitter Saturation Voltage

-700mV

Current-Collector (Ic) (Max)

2A

Number of Elements

1

hFEMin

15

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

已出版

2000

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电压 - 额定直流

-100V

最大功率耗散

30W

额定电流

-2A

基本部件号

BD240

元素配置

Single

功率耗散

30W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

115V

最大集电极电流

2A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

15 @ 1A 4V

最大集极截止电流

300μA

JEDEC-95代码

TO-220AB

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

700mV @ 200mA, 1A

转换频率

4MHz

最大击穿电压

100V

集电极基极电压(VCBO)

-100V

发射极基极电压 (VEBO)

-5V

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅