ON Semiconductor BD242B

生命周期状态

OBSOLETE (Last Updated: 2 days ago)

触点镀层

Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

供应商器件包装

TO-220AB

质量

1.8g

Collector-Emitter Breakdown Voltage

80V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.2V

Current-Collector (Ic) (Max)

3A

Number of Elements

1

hFEMin

25

操作温度

-65°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2000

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-65°C

电压 - 额定直流

-80V

最大功率耗散

40W

额定电流

-3A

频率

3MHz

基本部件号

BD242

极性

PNP

元素配置

Single

功率耗散

40W

功率 - 最大

40W

增益带宽积

3MHz

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

80V

最大集电极电流

3A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

25 @ 1A 4V

最大集极截止电流

300μA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.2V @ 600mA, 3A

电压 - 集射极击穿（最大值）

80V

最大击穿电压

80V

频率转换

3MHz

集电极基极电压(VCBO)

-80V

发射极基极电压 (VEBO)

-5V

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

无铅