ON Semiconductor BD244C
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BD244C
1807-BD244C
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-220-3
大陆
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TRANS PNP 100V 6A TO-220
--最小包装量--
BD244C详情
ON Semiconductor BD244C重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
触点镀层
Tin
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
引脚数
3
供应商器件包装
TO-220-3
质量
1.8g
Collector-Emitter Breakdown Voltage
100V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.5V
Current-Collector (Ic) (Max)
6A
Number of Elements
1
hFEMin
15
操作温度
150°C TJ
包装
Bulk
已出版
2000
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-65°C
电压 - 额定直流
-100V
最大功率耗散
65W
额定电流
-6A
基本部件号
BD244
极性
PNP
元素配置
Single
功率耗散
65W
功率 - 最大
65W
增益带宽积
3MHz
晶体管类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
100V
最大集电极电流
6A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
15 @ 3A 4V
最大集极截止电流
700μA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
1.5V @ 1A, 6A
电压 - 集射极击穿(最大值)
100V
集电极基极电压(VCBO)
-100V
发射极基极电压 (VEBO)
-5V
高度
15.95mm
长度
10mm
宽度
4.5mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
BD244C拓展信息
ON Semiconductor
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