ON Semiconductor BD434STU

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-225AA, TO-126-3

质量

761mg

Collector-Emitter Breakdown Voltage

22V

Collector-Emitter Saturation Voltage

-200mV

Number of Elements

1

hFEMin

50

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

电压 - 额定直流

-22V

最大功率耗散

36W

额定电流

-4A

频率

3MHz

基本部件号

BD434

元素配置

Single

功率耗散

36W

增益带宽积

3MHz

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

500mV

最大集电极电流

4A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

40 @ 10mA 5V

最大集极截止电流

100μA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 200mA, 2A

集电极基极电压(VCBO)

-22V

发射极基极电压 (VEBO)

-5V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅