ON Semiconductor BD438G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

触点镀层

Tin

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-225AA, TO-126-3

表面安装

NO

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

45V

Collector-Emitter Saturation Voltage

700mV

Number of Elements

1

hFEMin

30

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2003

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电压 - 额定直流

-45V

最大功率耗散

36W

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

-4A

频率

3MHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

BD438

引脚数量

3

元素配置

Single

功率耗散

36W

晶体管应用

SWITCHING

无卤素

无卤素

增益带宽积

3MHz

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

45V

最大集电极电流

4A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

85 @ 500mA 1V

最大集极截止电流

100μA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

700mV @ 300mA, 3A

转换频率

3MHz

集电极基极电压(VCBO)

45V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅