ON Semiconductor BD441G
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BD441G
1807-BD441G
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-225AA, TO-126-3
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BD441G Series 80 V 4 mA Through Hole NPN Power Transistor - SOT-23
--最小包装量--
BD441G详情
ON Semiconductor BD441G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
工厂交货时间
2 Weeks
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-225AA, TO-126-3
表面安装
NO
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
80V
Collector-Emitter Saturation Voltage
800mV
Number of Elements
1
hFEMin
15
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Bulk
已出版
2000
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
电压 - 额定直流
80V
最大功率耗散
36W
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
4A
频率
3MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
BD441
引脚数量
3
元素配置
Single
功率耗散
36W
晶体管应用
SWITCHING
增益带宽积
3MHz
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
80V
最大集电极电流
4A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
40 @ 500mA 1V
最大集极截止电流
100μA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
800mV @ 300mA, 3A
转换频率
3MHz
集电极基极电压(VCBO)
80V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
BD441G拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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ON Semiconductor
ON Semiconductor
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ON Semiconductor
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