ON Semiconductor BD675

生命周期状态

OBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-225AA, TO-126-3

表面安装

NO

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

45V

Number of Elements

1

hFEMin

750

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2008

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

电压 - 额定直流

45V

最大功率耗散

40W

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

4A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

BD675

引脚数量

3

资历状况

不合格

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

40W

晶体管应用

AMPLIFIER

晶体管类型

NPN - Darlington

集电极发射器电压(VCEO)

2.5V

最大集电极电流

4A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

750 @ 1.5A 3V

最大集极截止电流

500μA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

2.5V @ 30mA, 1.5A

转换频率

10MHz

集电极基极电压(VCBO)

45V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

连续集电极电流

4A

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅