ON Semiconductor BD676G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

工厂交货时间

2 Weeks

触点镀层

Tin

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-225AA, TO-126-3

表面安装

NO

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

45V

Number of Elements

1

hFEMin

750

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2005

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电压 - 额定直流

-45V

最大功率耗散

40W

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

-4A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

BD676

引脚数量

3

极性

PNP

元素配置

Single

功率耗散

40W

晶体管应用

AMPLIFIER

无卤素

无卤素

晶体管类型

PNP - Darlington

集电极发射器电压(VCEO)

45V

最大集电极电流

4A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

750 @ 1.5A 3V

最大集极截止电流

500μA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

2.5V @ 30mA, 1.5A

转换频率

200MHz

集电极基极电压(VCBO)

45V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

高度

11.04mm

长度

7.74mm

宽度

2.66mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅