ON Semiconductor BD679ASTU

生命周期状态

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工厂交货时间

19 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-225AA, TO-126-3

引脚数

3

质量

761mg

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

80V

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.8V

Number of Elements

1

hFEMin

750

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

已出版

2000

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

80V

最大功率耗散

40W

额定电流

4A

基本部件号

BD679

极性

NPN

元素配置

Single

晶体管应用

SWITCHING

晶体管类型

NPN - Darlington

集电极发射器电压(VCEO)

80V

最大集电极电流

4A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

750 @ 2A 3V

最大集极截止电流

500μA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

2.8V @ 40mA, 2A

转换频率

10MHz

最大击穿电压

100V

集电极基极电压(VCBO)

80V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

连续集电极电流

4A

高度

11mm

长度

8mm

宽度

3.25mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅