ON Semiconductor BD680ASTU

工厂交货时间

20 Weeks

生命周期状态

LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)

包装/外壳

TO-225AA, TO-126-3

安装类型

通孔

底架

通孔

触点镀层

Tin

引脚数

3

质量

761mg

晶体管元件材料

SILICON

hFEMin

750

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

14W

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.8V

Collector-Emitter Breakdown Voltage

80V

已出版

2002

包装

Tube

操作温度

150°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电压 - 额定直流

-80V

额定电流

-4A

基本部件号

BD680

极性

PNP

元素配置

Single

功率耗散

14W

晶体管应用

SWITCHING

晶体管类型

PNP - Darlington

集电极发射器电压(VCEO)

80V

最大集电极电流

4A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

750 @ 2A 3V

最大集极截止电流

500μA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

2.8V @ 40mA, 2A

集电极基极电压(VCBO)

-80V

发射极基极电压 (VEBO)

-5V

连续集电极电流

-4A

宽度

3.25mm

长度

8mm

高度

11mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

无

无铅

无铅