ON Semiconductor BD810

生命周期状态

OBSOLETE (Last Updated: 1 week ago)

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

表面安装

NO

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

80V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.1V

Current-Collector (Ic) (Max)

10A

Number of Elements

1

hFEMin

30

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2010

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

电压 - 额定直流

-80V

最大功率耗散

90W

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

-10A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

引脚数量

3

资历状况

不合格

元素配置

Single

功率耗散

90W

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

1.5MHz

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

1.1V

最大集电极电流

10A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

15 @ 4A 2V

最大集极截止电流

1mA ICBO

JEDEC-95代码

TO-220AB

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.1V @ 300mA, 3A

转换频率

1.5MHz

集电极基极电压(VCBO)

80V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅