ON Semiconductor BDV64B

生命周期状态

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安装类型

通孔

包装/外壳

TO-218-3

表面安装

NO

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

100V

Number of Elements

1

hFEMin

1000

操作温度

-65°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2002

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

电压 - 额定直流

-100V

最大功率耗散

125W

峰值回流焊温度（摄氏度）

240

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

-10A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

引脚数量

3

资历状况

不合格

极性

PNP

元素配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

125W

晶体管应用

AMPLIFIER

晶体管类型

PNP - Darlington

集电极发射器电压(VCEO)

2V

最大集电极电流

10A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

1000 @ 5A 4V

最大集极截止电流

1mA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

2V @ 20mA, 5A

转换频率

0.1MHz

集电极基极电压(VCBO)

100V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅