ON Semiconductor BDV65BG

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

工厂交货时间

2 Weeks

触点镀层

Tin

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

表面安装

NO

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

100V

Collector-Emitter Saturation Voltage

2V

Number of Elements

1

hFEMin

1000

操作温度

-65°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2002

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电压 - 额定直流

100V

最大功率耗散

125W

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

10A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

3

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

125W

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

AMPLIFIER

晶体管类型

NPN - Darlington

集电极发射器电压(VCEO)

100V

最大集电极电流

10A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

1000 @ 5A 4V

最大集极截止电流

1mA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

2V @ 20mA, 5A

集电极基极电压(VCBO)

100V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅