注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥10.189684
10
¥9.612907
100
¥9.068783
500
¥8.555451
1000
¥8.071187
ON Semiconductor BDW94C
- 收藏
- 对比
BDW94C
1807-BDW94C
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-220-3
大陆
立即发货

TRANS PNP DARL 100V 12A TO-220
--最小包装量--
¥
总价: ¥
BDW94C详情
ON Semiconductor BDW94C重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
工厂交货时间
8 Weeks
触点镀层
Tin
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
引脚数
3
供应商器件包装
TO-220-3
质量
1.8g
Collector-Emitter Breakdown Voltage
100V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2V
Current-Collector (Ic) (Max)
12A
Number of Elements
1
hFEMin
1000
已出版
2005
包装
Bulk
操作温度
150°C TJ
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-65°C
电压 - 额定直流
-100V
最大功率耗散
80W
额定电流
-12A
基本部件号
BDW94
极性
PNP
元素配置
Single
功率耗散
80W
功率 - 最大
80W
晶体管类型
PNP - Darlington
集电极发射器电压(VCEO)
100V
最大集电极电流
12A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
750 @ 5A 3V
最大集极截止电流
1mA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
3V @ 100mA, 10A
电压 - 集射极击穿(最大值)
100V
集电极基极电压(VCBO)
-100V
发射极基极电压 (VEBO)
2.5V
高度
9.4mm
长度
10.1mm
宽度
4.7mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
辐射硬化
无
无铅
无铅
BDW94C拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor






哦! 它是空的。