ON Semiconductor BF493SG

生命周期状态

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安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

表面安装

NO

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

350V

Collector-Emitter Saturation Voltage

-2V

Number of Elements

1

hFEMin

25

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2007

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

电压 - 额定直流

-350V

最大功率耗散

625mW

端子位置

BOTTOM

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

-500mA

频率

50MHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

3

元素配置

Single

功率耗散

625mW

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

50MHz

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

350V

最大集电极电流

500mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

40 @ 10mA 10V

最大集极截止电流

10nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

2V @ 2mA, 20mA

转换频率

50MHz

集电极基极电压(VCBO)

350V

发射极基极电压 (VEBO)

6V

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅