ON Semiconductor BSP19AT1G

生命周期状态

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触点镀层

Tin

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

表面安装

YES

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

350V

Collector-Emitter Saturation Voltage

500mV

Number of Elements

1

hFEMin

40

操作温度

-65°C~150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

已出版

2007

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

电压 - 额定直流

350V

最大功率耗散

800mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

1A

频率

70MHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

BSP19

引脚数量

4

元素配置

Single

功率耗散

800mW

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

70MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

350V

最大集电极电流

100mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

40 @ 20mA 10V

最大集极截止电流

20nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 4mA, 50mA

转换频率

70MHz

最大击穿电压

350V

集电极基极电压(VCBO)

400V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

高度

1.75mm

长度

6.7mm

宽度

3.7mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅