ON Semiconductor BSP52T1G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

工厂交货时间

12 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

表面安装

YES

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

80V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.3V

Number of Elements

1

操作温度

-65°C~150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

已出版

1997

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

80V

最大功率耗散

800mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

1A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

BSP52

引脚数量

4

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

800mW

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

SWITCHING

无卤素

无卤素

晶体管类型

NPN - Darlington

集电极发射器电压(VCEO)

80V

最大集电极电流

1A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

2000 @ 500mA 10V

最大集极截止电流

10μA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.3V @ 500μA, 500mA

最大击穿电压

80V

集电极基极电压(VCBO)

90V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

连续集电极电流

1A

高度

1.57mm

长度

6.5mm

宽度

3.5mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅