ON Semiconductor BSS138LT3G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

工厂交货时间

14 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

表面安装

YES

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

200mA Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

225mW Ta

Turn Off Delay Time

20 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2005

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

3.5Ohm

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

50V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

200mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

225mW

接通延迟时间

20 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

3.5 Ω @ 200mA, 5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.5V @ 1mA

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

50pF @ 25V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

200mA

阈值电压

500mV

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.2A

漏源击穿电压

50V

栅源电压

500 mV

反馈上限-最大值 (Crss)

5 pF

高度

940μm

长度

2.9mm

宽度

1.3mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅