ON Semiconductor BU406TU

生命周期状态

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工厂交货时间

14 Weeks

触点镀层

Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

质量

1.8g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

200V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1V

Number of Elements

1

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

已出版

2013

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电压 - 额定直流

150V

最大功率耗散

60W

额定电流

7A

频率

10MHz

基本部件号

BU406

元素配置

Single

功率耗散

60W

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

10MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

200V

最大集电极电流

7A

最大集极截止电流

5mA

JEDEC-95代码

TO-220AB

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 500mA, 5A

转换频率

10MHz

集电极基极电压(VCBO)

400V

发射极基极电压 (VEBO)

6V

最小直流增益（hFE）

10

高度

9.2mm

长度

9.9mm

宽度

4.5mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅