ON Semiconductor BU407

触点镀层

Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

供应商器件包装

TO-220-3

质量

1.8g

Collector-Emitter Breakdown Voltage

150V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1V

Current-Collector (Ic) (Max)

7A

Number of Elements

1

hFEMin

12

操作温度

150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2009

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-65°C

电压 - 额定直流

150V

最大功率耗散

60W

额定电流

7A

频率

10MHz

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

60W

功率 - 最大

60W

增益带宽积

16MHz

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

150V

最大集电极电流

7A

最大集极截止电流

5mA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 500mA, 5A

电压 - 集射极击穿（最大值）

150V

频率转换

10MHz

集电极基极电压(VCBO)

330V

发射极基极电压 (VEBO)

6V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅