ON Semiconductor BUL642D2G

生命周期状态

LAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

440V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.5V

Current-Collector (Ic) (Max)

3A

Number of Elements

1

hFEMin

16

操作温度

-65°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2005

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

BUILT-IN EFFICIENT ANTISATURATION NETWORK

最大功率耗散

75W

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

资历状况

不合格

元素配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

增益带宽积

13MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

1.5V

最大集电极电流

3A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

16 @ 500mA 1V

最大集极截止电流

200μA

JEDEC-95代码

TO-220AB

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.5V @ 200mA, 2A

转换频率

13MHz

集电极基极电压(VCBO)

825V

发射极基极电压 (VEBO)

11V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅