ON Semiconductor BUV26G

生命周期状态

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工厂交货时间

2 Weeks

触点镀层

Tin

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

表面安装

NO

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.5V

Number of Elements

1

操作温度

-65°C~175°C TJ

包装

Tube

已出版

2002

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电压 - 额定直流

90V

最大功率耗散

85W

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

20A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

BUV26

引脚数量

3

元素配置

Single

功率耗散

85W

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

90V

最大集电极电流

20A

JEDEC-95代码

TO-220AB

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.5V @ 1.2A, 12A

转换频率

330MHz

最大击穿电压

90V

集电极基极电压(VCBO)

180V

发射极基极电压 (VEBO)

7V

高度

15.75mm

长度

10.28mm

宽度

4.82mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅