ON Semiconductor BUV27G

生命周期状态

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工厂交货时间

2 Weeks

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

表面安装

NO

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

120V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.5V

Number of Elements

1

操作温度

-65°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2011

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

120V

最大功率耗散

70W

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

12A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

BUV27

引脚数量

3

元素配置

Single

功率耗散

70W

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

120V

最大集电极电流

12A

JEDEC-95代码

TO-220AB

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.5V @ 800mA, 8A

集电极基极电压(VCBO)

240V

发射极基极电压 (VEBO)

7V

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅