ON Semiconductor CPH5517-TL-E

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

工厂交货时间

2 Weeks

触点镀层

Tin

表面安装

YES

包装/外壳

SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5

安装类型

表面贴装

引脚数

5

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

hFEMin

200

Number of Elements

2

已出版

2012

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

150°C TJ

JESD-609代码

e6

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

900mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

引脚数量

5

极性

NPN, PNP

配置

COMMON BASE, 2 ELEMENTS

晶体管应用

SWITCHING

晶体管类型

NPN, PNP (Common Base)

集电极发射器电压(VCEO)

50V

最大集电极电流

1A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

200 @ 100mA 2V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

430mV @ 10mA, 500mA

最高频率

1MHz

转换频率

420MHz

最大击穿电压

50V

频率转换

420MHz

集电极基极电压(VCBO)

60V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

高度

900μm

长度

2.9mm

宽度

1.6mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅