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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥4.055147
10
¥3.825613
100
¥3.609069
500
¥3.40478
1000
¥3.212057
ON Semiconductor CPH6122-TL-E
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- 对比
CPH6122-TL-E
1807-CPH6122-TL-E
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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Trans GP BJT PNP 30V 3A 6-Pin CPH T/R
--最小包装量--
¥
总价: ¥
CPH6122-TL-E详情
ON Semiconductor CPH6122-TL-E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
工厂交货时间
5 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
表面安装
YES
触点镀层
Tin
引脚数
6
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
hFEMin
200
Current-Collector (Ic) (Max)
3A
Collector-Emitter Saturation Voltage
-270mV
Collector-Emitter Breakdown Voltage
30V
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2012
JESD-609代码
e6
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
1.3W
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
频率
400MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
6
元素配置
Single
功率耗散
1.3W
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
30V
最大集电极电流
3A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
200 @ 500mA 2V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
180mV @ 75mA, 1.5A
转换频率
400MHz
集电极基极电压(VCBO)
30V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
长度
2.9mm
宽度
1.6mm
高度
900μm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
CPH6122-TL-E拓展信息
ON Semiconductor
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