ON Semiconductor CPH6123-TL-E
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CPH6123-TL-E
1807-CPH6123-TL-E
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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TRANS PNP 50V 3A CPH6
--最小包装量--
CPH6123-TL-E详情
ON Semiconductor CPH6123-TL-E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
工厂交货时间
11 Weeks
触点镀层
Tin
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
表面安装
YES
引脚数
6
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50V
Collector-Emitter Saturation Voltage
-240mV
Number of Elements
1
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2003
JESD-609代码
e6
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
1.3W
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
not_compliant
基本部件号
CPH6123
引脚数量
6
元素配置
Single
晶体管应用
SWITCHING
增益带宽积
390MHz
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
50V
最大集电极电流
3A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
200 @ 100mA 2V
最大集极截止电流
1μA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
650mV @ 100mA, 2A
最高频率
390MHz
转换频率
390MHz
最大击穿电压
50V
集电极基极电压(VCBO)
-50V
发射极基极电压 (VEBO)
-6V
高度
900μm
长度
2.9mm
宽度
1.6mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
CPH6123-TL-E拓展信息
ON Semiconductor
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