ON Semiconductor D44H11

生命周期状态

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触点镀层

Lead, Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

供应商器件包装

TO-220AB

质量

1.8g

Collector-Emitter Breakdown Voltage

400V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1V

Current-Collector (Ic) (Max)

10A

Number of Elements

1

hFEMin

60

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2010

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

80V

最大功率耗散

2W

额定电流

10A

频率

50MHz

基本部件号

D44H

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

1.67W

功率 - 最大

2W

增益带宽积

50MHz

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

80V

最大集电极电流

10A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

40 @ 4A 1V

最大集极截止电流

10μA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 400mA, 8A

电压 - 集射极击穿（最大值）

80V

最大击穿电压

80V

频率转换

50MHz

集电极基极电压(VCBO)

80V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅