ON Semiconductor D44H11TU

生命周期状态

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工厂交货时间

5 Weeks

触点镀层

Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

质量

1.8g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

80V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1V

Number of Elements

1

hFEMin

60

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

已出版

2009

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

1.67W

频率

50MHz

基本部件号

D44H

元素配置

Single

功率耗散

1.67W

功率 - 最大

60W

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

50MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

80V

最大集电极电流

10A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

40 @ 4A 1V

最大集极截止电流

10μA

JEDEC-95代码

TO-220AB

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 400mA, 8A

转换频率

50MHz

最大击穿电压

300V

集电极基极电压(VCBO)

80V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

高度

16.51mm

长度

10.67mm

宽度

4.83mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant