ON Semiconductor D45C11

生命周期状态

CONSULT SALES OFFICE (Last Updated: 6 days ago)

工厂交货时间

6 Weeks

触点镀层

Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

质量

1.8g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

80V

Number of Elements

1

hFEMin

20

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2013

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电压 - 额定直流

-80V

最大功率耗散

60W

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

额定电流

-4A

频率

32MHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

资历状况

不合格

元素配置

Single

功率耗散

60W

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

32MHz

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

80V

最大集电极电流

4A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

40 @ 200mA 1V

最大集极截止电流

10μA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 50mA, 1A

转换频率

32MHz

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅