ON Semiconductor DTC123E

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Saturation Voltage

250 mV

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50 V

hFEMin

8

Number of Elements

1

RoHS

Non-Compliant

Package

Bulk

厂商

onsemi

Product Status

活跃

Package Description

TO-226AA, 3 PIN

Package Style

CYLINDRICAL

Moisture Sensitivity Levels

未说明

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

DTC123E

Package Shape

ROUND

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Risk Rank

5.36

Part Package Code

TO-92

系列

*

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

端子表面处理

锡铅

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

附加功能

BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1

端子位置

BOTTOM

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

O-PBCY-T3

资历状况

COMMERCIAL

配置

SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR

功率耗散

350 mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

50 V

最大集电极电流

100 mA

JEDEC-95代码

TO-92

集电极基极电压(VCBO)

50 V

集电极电流-最大值(IC)

0.1 A

最小直流增益（hFE）

8

最大结点温度（Tj）

150 °C

集电极-发射器电压-最大值

50 V

高度

5.33 mm