ON Semiconductor FCP650N80Z

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

工厂交货时间

14 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

质量

1.8g

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

10A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Power Dissipation (Max)

162W Tc

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

SuperFET® II

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.29.00.95

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

元素配置

Single

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

650m Ω @ 4A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.5V @ 800μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1565pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

35nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

800V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

10A

阈值电压

4.5V

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant