ON Semiconductor FDAF69N25

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-3P-3 Full Pack

引脚数

3

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

34A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Power Dissipation (Max)

115W Tc

Turn Off Delay Time

130 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

5V @ 250μA

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

UniFET™

已出版

2005

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

元素配置

Single

功率耗散

115W

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

41m Ω @ 17A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4640pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

100nC @ 10V

上升时间

855ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

220 ns

连续放电电流(ID)

34A

阈值电压

5V

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏源击穿电压

250V

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

符合RoHS标准