FDB86569-F085
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ON Semiconductor FDB86569-F085

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型号

FDB86569-F085

utmel 编号

1807-FDB86569-F085

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET 60V SG N-channel PowerTrench MOSFET

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FDB86569-F085 ON Semiconductor MOSFET 60V SG N-channel PowerTrench MOSFET

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FDB86569-F085详情

ON Semiconductor FDB86569-F085重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

  • 工厂交货时间

    5 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

  • 质量

    1.31247g

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    80A Tc

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    10V

  • Power Dissipation (Max)

    94W Tj

  • 操作温度

    -55°C~175°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • Reach合规守则

    not_compliant

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    5.6m Ω @ 80A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    4V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    2520pF @ 30V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    52nC @ 10V

  • 漏源电压 (Vdss)

    60V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 连续放电电流(ID)

    80A

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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