ON Semiconductor FDC655AN
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FDC655AN
1807-FDC655AN
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-SSOT
--最小包装量--
FDC655AN详情
ON Semiconductor FDC655AN重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
引脚数
6
供应商器件包装
SuperSOT™-6
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
6.3A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1.6W Ta
Turn Off Delay Time
18 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
已出版
1998
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
功率耗散
1.6W
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
27mOhm @ 6.3A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
830pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
13nC @ 5V
上升时间
10ns
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
10 ns
连续放电电流(ID)
6.3A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
30V
输入电容
830pF
漏源电阻
23mOhm
最大rds
27 mΩ
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
FDC655AN拓展信息
ON Semiconductor
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