ON Semiconductor FDD3672

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)

工厂交货时间

8 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

质量

260.37mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

6.5A Ta 44A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

6V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

135W Tc

Turn Off Delay Time

26 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

UltraFET™

已出版

2002

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

终端

SMD/SMT

ECCN 代码

EAR99

电阻

28MOhm

电压 - 额定直流

100V

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

44A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

135W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

11 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

28m Ω @ 44A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1710pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

36nC @ 10V

上升时间

59ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

44 ns

连续放电电流(ID)

44A

阈值电压

4V

JEDEC-95代码

TO-252AA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

6.5A

漏源击穿电压

100V

双电源电压

100V

栅源电压

4 V

高度

2.39mm

长度

6.73mm

宽度

5.59mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅