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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.710139
10
¥1.613336
100
¥1.522021
500
¥1.435862
1000
¥1.354591
ON Semiconductor FDFMA3P029Z
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- 对比
FDFMA3P029Z
1807-FDFMA3P029Z
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
6-VDFN Exposed Pad
大陆
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MOSFET PChan Sgl -30V -3.3A PowerTrench MOSFET
--最小包装量--
¥
总价: ¥
FDFMA3P029Z详情
ON Semiconductor FDFMA3P029Z重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-VDFN Exposed Pad
引脚数
6
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
3.3A Ta
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1.4W Ta
Turn Off Delay Time
17 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
3V @ 250μA
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
系列
PowerTrench®
已出版
2006
JESD-609代码
e4
零件状态
Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
功率耗散
1.4W
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
87m Ω @ 3.3A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
435pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
10nC @ 10V
上升时间
3ns
漏源电压 (Vdss)
30V
下降时间(典型值)
11 ns
连续放电电流(ID)
3.3A
栅极至源极电压(Vgs)
25V
漏源击穿电压
-30V
场效应管特性
Schottky Diode (Isolated)
RoHS状态
ROHS3 Compliant
FDFMA3P029Z拓展信息
ON Semiconductor
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