FDFMA3P029Z
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ON Semiconductor FDFMA3P029Z

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型号

FDFMA3P029Z

utmel 编号

1807-FDFMA3P029Z

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

6-VDFN Exposed Pad

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET PChan Sgl -30V -3.3A PowerTrench MOSFET

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FDFMA3P029Z
FDFMA3P029Z ON Semiconductor MOSFET PChan Sgl -30V -3.3A PowerTrench MOSFET

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FDFMA3P029Z详情

ON Semiconductor FDFMA3P029Z重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    6-VDFN Exposed Pad

  • 引脚数

    6

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    3.3A Ta

  • Number of Elements

    1

  • Power Dissipation (Max)

    1.4W Ta

  • Turn Off Delay Time

    17 ns

  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

    3V @ 250μA

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Cut Tape (CT)

  • 系列

    PowerTrench®

  • 已出版

    2006

  • JESD-609代码

    e4

  • 零件状态

    Discontinued

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

  • 功率耗散

    1.4W

  • 场效应管类型

    P-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    87m Ω @ 3.3A, 10V

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    435pF @ 15V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    10nC @ 10V

  • 上升时间

    3ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    30V

  • 下降时间(典型值)

    11 ns

  • 连续放电电流(ID)

    3.3A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    25V

  • 漏源击穿电压

    -30V

  • 场效应管特性

    Schottky Diode (Isolated)

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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