ON Semiconductor FDMS86202ET120
- 收藏
- 对比
FDMS86202ET120
1807-FDMS86202ET120
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerTDFN
大陆
立即发货

MOSFET TV Monitor/POE/Network/Telcom
1最小包装量--
FDMS86202ET120详情
ON Semiconductor FDMS86202ET120重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerTDFN
引脚数
8
质量
56.5mg
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
13.5A Ta 102A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V 10V
Power Dissipation (Max)
3.3W Ta 187W Tc
Turn Off Delay Time
27 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
4V @ 250μA
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
ACTIVE (Last Updated: 20 hours ago)
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
通道数量
1
元素配置
Single
接通延迟时间
21 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
7.2m Ω @ 13.5A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
4585pF @ 60V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
64nC @ 10V
上升时间
6ns
漏源电压 (Vdss)
120V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
5 ns
连续放电电流(ID)
102A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
达到SVHC
not_compliant
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
FDMS86202ET120拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor











哦! 它是空的。